Descripción

IGBT de canal N 2SK25T120 — Transistor IGBT de tipo N, diseñado para conmutación de alta tensión en fuentes conmutadas y convertidores. Tensión colector-emisor (VCES): 1200 V. Corriente de colector (IC): 25 A (TC=25°C). Tensión gate-emisor (VGE): ±20 V. Tensión de saturación VCE(sat) típ.: ~2,0 V a IC nominal. Temperatura de juntura máxima: 150 °C. Encapsulado TO-247.

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