El L635ED es un driver de compuerta de alto voltaje en encapsulado SMD SOIC‑8, con tensión de bus de hasta 600 V, tensión de alimentación del lado bajo VCC de 10 V a 20 V, tensión de bootstrap VBS de hasta 20 V, canales de salida en configuración half‑bridge (high‑side y low‑side) independientes, corriente de salida de pico típica del orden de 100 mA a 200 mA en source y 200 mA a 420 mA en sink, tiempos de propagación típicos de 100 ns a 200 ns con baja diferencia entre canales complementarios, umbral lógico de entrada compatible con niveles CMOS y TTL de 3,3 V y 5 V, protección integrada por subtensión (UVLO) en el lado alto y bajo con histéresis, tiempo de bloqueo cruzado (dead time) para prevención de cortocircuito entre ramas y rango de temperatura de operación de -40 °C a +125 °C (grado industrial).