Descripción

El IRFB5615 es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado originalmente por International Rectifier (ahora Infineon Technologies). Destaca principalmente por estar optimizado para aplicaciones de audio digital de Clase D, inversores de energía y sistemas de conmutación rápida.

Voltaje Drenaje-Fuente ($V_{DSS}$): 150 V máximos.
Corriente Continua de Drenaje ($I_{D}$): 35 A (a $T_C = 25^\circ\text{C}$).
Resistencia en encendido ($R_{DS(on)}$): 32 mΩ típico / 39 mΩ máximo (con $V_{GS} = 10\text{V}$).
Carga de Compuerta ($Q_{g}$): 26 nC típico (baja carga que permite conmutación rápida y menor distorsión armónica THD).
Disipación de Potencia Máxima ($P_{D}$): 144 W.
Temperatura de Operación ($T_{J}$): Hasta 175 °C.
Encapsulado: TO-220AB (de inserción / Through-Hole)