Descripción

SRAM asíncrona CMOS de alta velocidad, fabricada por ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.). Capacidad: 16 Mbit, organización 1M × 16 bits. Tiempo de acceso: 10 ns (2,4 V–3,6 V) / 8 ns (VDD=3,3 V). Tensión de alimentación: 2,4 V a 3,6 V. Corriente de suministro máx.: 95 mA. Operación totalmente estática (sin clock ni refresco). Entradas y salidas compatibles con TTL. Control independiente de bytes superior e inferior (UB/LB). Power-down por CE activo bajo. Bus de direcciones de 20 bits. Temperatura de operación industrial: -40 °C a +85 °C. Encapsulado TSOP-48 (variante TLI) o Mini BGA-48 (variante MLI), montaje SMD.

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