Descripción
Descripción
El 2N1711 es un transistor NPN de propósito general en encapsulado THT metálico TO‑39, con tensión colector‑emisor máxima VCEO de 50 V, tensión colector‑base máxima VCBO de 75 V, tensión emisor‑base máxima VEBO de 5 V, corriente de colector continua IC de hasta 500 mA, disipación de potencia máxima PC de aproximadamente 800 mW con disipador adecuado, ganancia de corriente hFE típica en el rango de 40 a 120, tensión de saturación VCE(sat) de alrededor de 0,3 V a 0,5 V a IC = 150 mA, frecuencia de transición fT del orden de 60 MHz y temperatura de unión máxima de +175 °C (grado extendido).
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