Descripción
Descripción
El MMBT5551 es un transistor NPN de pequeña señal y alta tensión en encapsulado SMD SOT-23, con tensión colector-base máxima de 180 V, tensión colector-emisor máxima de 160 V, tensión emisor-base máxima de 6 V, corriente de colector continua de hasta 0,6 A y disipación de potencia típica entre 200 mW y 300 mW según fabricante, con ganancia de corriente hFE típica en el rango de 80 a 250, tensión de saturación colector-emisor VCE(sat) de aproximadamente 0,25 V – 0,3 V a IC = 10 mA, tensión base-emisor de saturación VBE(sat) cercana a 0,9 V – 1 V, frecuencia de transición fT de alrededor de 100 MHz y baja capacitancia de salida de unos 6 pF, con rango de temperatura de operación hasta +150 °C (grado extendido).
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