Descripción

SI7252DP es un MOSFET de potencia dual canal N TrenchFET® de Vishay, en encapsulado PowerPAK® SO-8 SMD (mismo footprint que SO-8 estándar). Integra dos MOSFET N independientes de 100 V (D-S) y 36,7 A cada uno, con RDS(on) típica de 14 mΩ a VGS = 10 V, tensión VGS máx. ±20 V, tensión de umbral VGS(th) típica de 1,5 V, carga de compuerta total Qg = 27 nC y disipación máxima de 46 W, con rango de temperatura de unión de −55 °C a +150 °C.

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