Descripción
Descripción
El 1N5408 es un diodo rectificador de silicio en encapsulado THT DO‑27, con tensión inversa repetitiva máxima VRRM de 1000 V, corriente directa media IF(AV) de 3 A, corriente de pico no repetitiva IFSM de 200 A, caída de tensión directa típica VF de 1,0 V a 1,2 V a corriente nominal, corriente de fuga inversa IR inferior a 10 µA a tensión máxima y temperatura de unión máxima de +150 °C (grado extendido).
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