El VRF152 (código de encapsulado M174) es un MOSFET vertical de silicio canal N metalizado en oro para RF de alta potencia, en encapsulado SOE de 4 pines con configuración fuente común, con tensión drenador‑fuente máxima VDSS de 130 V, tensión compuerta‑fuente máxima VGS de ±40 V, corriente de drenador continua ID de 20 A a TC = 25 °C, disipación de potencia máxima PD de 300 W a TC = 25 °C, resistencia en conducción RDS(on) de 0,13 Ω a 0,20 Ω a VGS = 10 V, transconductancia gfs típica de 6,2 S, tensión umbral VGS(th) de 2,9 V a 4,4 V, capacitancia de entrada Ciss de 383 pF, capacitancia de salida Coss de 215 pF, capacitancia de transferencia Crss de 20 pF a f = 1 MHz, ganancia de potencia típica de 22 dB a 30 MHz y 14 dB a 175 MHz con Pout = 150 W a VDD = 50 V, pasivación de nitruro con metalización refractaria de oro y temperatura de unión máxima de +200 °C.