Descripción

Identificación
Fabricante: Infineon Technologies
Familia: CoolMOS™ C3
Encapsulado: TO-247
Tipo: MOSFET N-Channel, modo enriquecimiento
Parámetros eléctricos principales
ParámetroValorTensión Drain-Source (V_DS)650 VCorriente continua de Drain (I_D)47 AResistencia on-state R_DS(on) máx.70 mΩTemperatura de canal (T_ch)150 °CTemperatura de almacenamiento-55 a +150 °C
Características de avalancha
ParámetroValorEnergía de avalancha pulso único (E_as)1800 mJCorriente de avalancha (I_ar)20 AEnergía de avalancha repetitiva (E_ar)1 mJ

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