Descripción
Descripción
- Tipo de componente: MOSFET de Canal P (Modo de enriquecimiento).
- Voltaje Drenaje-Fuente (\(V_{DS}\)): -30 V.
- Corriente Continua de Drenaje (\(I_{D}\)): -15 A (puede variar a -17 A según la revisión de la versión AO4447A).
- Resistencia en encendido (\(R_{DS(on)}\)): Extremadamente baja, menor a 7.5 mΩ a -10V.
- Uso habitual: Interruptor de carga principal (Load switch), gestión de energía y protección de baterías.
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