Descripción
Descripción
El APT18M100B es un transistor de potencia MOSFET de canal N de alta velocidad y alto voltaje fabricado originalmente por Microsemi (ahora parte de Microchip Technology) bajo su arquitectura tecnológica Power MOS 8.
Está diseñado principalmente para aplicaciones conmutadas industriales de alta frecuencia y alta potencia (superiores a 500W), ofreciendo un rendimiento optimizado con pérdidas de conmutación mínimas y bajo ruido electromagnético (EMI)
Voltaje Máximo Drenaje-Fuente (\[V_{DSS}\]): 1000 V (1 kV)
Corriente Continua de Drenaje (\[I_{D}\]): 18 A (a temperatura de carcasa ideal, algunas variantes operan de forma segura a 12 A continuos bajo condiciones estándar)
Rango de Voltaje de Puerta (\[V_{GS}\]): ±30 V
Está diseñado principalmente para aplicaciones conmutadas industriales de alta frecuencia y alta potencia (superiores a 500W), ofreciendo un rendimiento optimizado con pérdidas de conmutación mínimas y bajo ruido electromagnético (EMI)
Voltaje Máximo Drenaje-Fuente (\[V_{DSS}\]): 1000 V (1 kV)
Corriente Continua de Drenaje (\[I_{D}\]): 18 A (a temperatura de carcasa ideal, algunas variantes operan de forma segura a 12 A continuos bajo condiciones estándar)
Rango de Voltaje de Puerta (\[V_{GS}\]): ±30 V
Detalles
Archivos
|
