Descripción
Descripción
El IRF3808S es un transistor MOSFET de potencia de canal N fabricado con tecnología avanzada Planar Stripe HEXFET. Está diseñado principalmente para aplicaciones industriales y de electrónica automotriz de alta potencia, como convertidores DC-DC, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y controladores de motores. D2PAK / TO-263
Voltaje Drenaje-Fuente (\[V_{DSS}\]): 75 V
Resistencia en estado encendido (\[R_{DS(on)}\]): 7.0 mΩ máximo (5.9 mΩ típica) a un \[V_{GS}\] de 10 V
Corriente Continua de Drenaje (\[I_{D}\]): 106 A (a una temperatura de carcasa \(T_C = 25^\circ\text{C}\))
Voltaje Drenaje-Fuente (\[V_{DSS}\]): 75 V
Resistencia en estado encendido (\[R_{DS(on)}\]): 7.0 mΩ máximo (5.9 mΩ típica) a un \[V_{GS}\] de 10 V
Corriente Continua de Drenaje (\[I_{D}\]): 106 A (a una temperatura de carcasa \(T_C = 25^\circ\text{C}\))
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