Descripción
Descripción
El BSC057N08NS (comúnmente listado como BSC057N08NS3 G) es un transistor MOSFET de potencia de canal N de alta eficiencia desarrollado por Infineon Technologies. Está diseñado bajo la tecnología OptiMOS™ 3, optimizado principalmente para la conmutación de alta frecuencia, fuentes de alimentación (SMPS), inversores y aplicaciones de control de motores.
Voltaje Drenaje-Fuente (\[V_{DS}\] max): 80 V
Corriente Continua de Drenaje (\[I_{D}\] max): 100 A (en condiciones de carcasa \(T_C = 25^\circ\text{C}\)).
Voltaje Drenaje-Fuente (\[V_{DS}\] max): 80 V
Corriente Continua de Drenaje (\[I_{D}\] max): 100 A (en condiciones de carcasa \(T_C = 25^\circ\text{C}\)).
Detalles
Archivos
|
