Descripción
Descripción
El S8050 es un transistor NPN epitaxial de propósito general en encapsulado SMD SOT-23, con tensión colector-base máxima de 40 V, tensión colector-emisor máxima de 25 V, tensión emisor-base máxima de 5 V, corriente de colector continua de hasta 0,5 A a 1,5 A según fabricante y versión (S8050 / SS8050), disipación de potencia en placa de aproximadamente 300 mW, ganancia de corriente hFE típica en torno a 100 – 300 en la región lineal, tensión de saturación colector-emisor VCE(sat) de alrededor de 0,3 V a 0,6 V y frecuencia de transición fT del orden de 100 MHz a 150 MHz, con rango de temperatura de operación de hasta +150 °C (grado extendido), apto para amplificación de baja frecuencia, etapas de pre-driver, pequeñas cargas de potencia, conmutación general y uso como transistor discreto en placas compactas.
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