Descripción
Descripción
El K75T60 (referencia completa de fábrica IKW75N60T) es un transistor IGBT de alta potencia.
- Tensión Máxima Colector-Emisor (\(V_{CE}\)): 600 V.
- Corriente Máxima de Colector (\(I_{C}\)): 75 A (nominal) / hasta 80 A continuos a 25 °C.
- Voltaje de Saturación (\(V_{CE(sat)}\)): 1.5 V típico (lo que significa pérdidas por conducción muy bajas).
- Disipación de Potencia Máxima (\(P_{D}\)): 428 W.
- Temperatura de Operación de la Unión: -40 °C hasta +175 °C.
- Encapsulado: TO-247 (de 3 pines, montaje por orificio pasante / Through Hole).
- Diodo Integrado: Incluye un diodo antiparalelo de recuperación rápida (DuoPack) para protegerlo de corrientes in
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