Descripción

El F9540N es un MOSFET de canal P con tensión drenador-fuente (VDSS) de -100 V, corriente de drenador continua (ID) de -23 A a 25 °C, resistencia drenador-fuente en conducción (RDS(on)) típica de 117 mΩ a VGS = -10 V, tensión de umbral de puerta (VGS(th)) de -2 V a -4 V, potencia de disipación máxima (PD) de 150 W a TC = 25 °C, corriente de pico de drenador (IDM) de -92 A y rango de temperatura de operación de -55 °C a +150 °C. Encapsulado TO-220AB (THT).

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