Descripción

MOSFET IRFB4227, transistor de potencia canal N 200 V / 65 A en encapsulado TO‑220AB para montaje through‑hole, con muy baja resistencia R_{DS(on)} típica ≈ 20–24 mΩ, baja carga de puerta (Qg ~70 nC) y capacidad de disipación hasta ~300–330 W con buen disipador, ideal para etapas de potencia conmutadas de alta eficiencia: inversores, drivers de motor, convertidores DC‑DC, amplificadores clase D y fuentes SMPS exigentes donde se requiera alta corriente, rápidas conmutaciones y bajas pérdidas de conducción.